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論文

Structural, optical and electrical properties of laser deposited FeTiO$$_{3}$$ films on C- and A-cut sapphire substrates

Dai, Z.*; 楢本 洋; 鳴海 一雅; 山本 春也; 宮下 敦巳

Journal of Applied Physics, 85(10), p.7433 - 7437, 1999/05

https://doi.org/10.1063/1.369374
 被引用回数：22 パーセンタイル：67.9(Physics, Applied)

酸素分圧を精密に制御することにより、化学量論比が正確にFeTiO$$_{3}$$になった単結晶薄膜を$$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$(0001)及び(1120)上に、レーザー・アブレーション法により合成した。従来この酸化物結晶は、バルクの状態でも化学組成の制御が困難であったが、レーザーの利用と分圧調整法がうまくマッチして、FeTiO$$_{3}$$単結晶薄膜の合成に成功した。さらに光学吸収法により、バンドギャップの値を3.55eVとはじめて決定した。この値は不純物が多くかつ組成比が確かではないバルク物質での値、2.58eVと比較してかなり大きな値となっている。電気的性質は、半導体的特性を有することも明らかになった。FeTiO$$_{3}$$は地球上に豊富に存在する素材であり、高純度、高品質な単結晶膜の基礎物性値の評価により、バンドギャップの大きな、光学分野で利用可能な半導体としての利用が期待される。

論文

Rutherford backscattering/channelling,XRD,XRD pole figure and AES characterization of FeTio$$_{3}$$ thin films prepared in different ambients by laser ablation

Dai, Z.*; 楢本 洋; 山本 春也; 鳴海 一雅; 宮下 敦巳

Journal of Physics; Condensed Matter, 11(3), p.913 - 925, 1999/00

https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/3/029
 被引用回数：4 パーセンタイル：28.67(Physics, Condensed Matter)

種々のガスふん囲気(真空,Ar,O$$_{2}$$,Ar+O$$_{2}$$)下で、レーザー蒸着法によって作製させるFeTiO$$_{3}$$薄膜の化学量論比、結晶性、結晶方位整合性を、X線回折法、イオンビーム解析法及びオージェ電子分光法で系統的に調べた結果を報告する。結論としては、Ar+5%O$$_{2}$$ガスふん囲気下でレーザー蒸着を行うことにより、炭素不純物の取り込みもなく、化学量論比の優れた単結晶膜を合成することに成功した。エピタクシーの関係は、FeTiO$$_{3}$$(0006)/Al$$_{2}$$O$$_{3}$$(0006)となっている。

論文

Pulsed laser deposition of ilmenite FeTiO$$_{3}$$ epitaxial thin film onto sapphire substrate

Dai, Z.*; P.Zhu*; 山本 春也; 宮下 敦巳; 鳴海 一雅; 楢本 洋

Thin Solid Films, 339(1-2), p.114 - 116, 1999/00

https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)01161-4
 被引用回数：28 パーセンタイル：78.42(Materials Science, Multidisciplinary)

FeTiO$$_{3}$$の光学関連の基礎物性を調べるため、高純度薄膜をYAGレーザーを用いたアブレーション法により育成した。その結果、基板の$$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$(0001)と整合したFeTiO$$_{3}$$(0001)が成長することが明らかになった。重要な因子は、基板温度(450$$^{circ}$$C)及びガスふん囲気(Ar+5%O$$_{2}$$,0.01mbar)で正確なコントロールが必要であった。

論文

Characterization of natural and synthesized FeTiO$$_{3}$$ crystals with RBS/PIXE/XRD

R.Q.Zhang*; 山本 春也; Dai, Z.*; 鳴海 一雅; 青木 康*; 楢本 洋; 宮下 敦巳

International Journal of PIXE, 7(3&4), p.265 - 275, 1997/00

https://doi.org/10.1142/S0129083597000308

FeTiO$$_{3}$$結晶の真の光学特性の評価のため、赤外線加熱形ふん囲気制御帯熔融法により、高純度・高完全度バルク単結晶の育成を行った。これらの人工結晶片と天然のイルメナイト結晶について、熱処理による結晶性向上、あるいは相分離の過程を、RBS法とPIXE法とを組合せた方法及びXRD法により詳細に調べた結果の報告である。

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